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[发明专利]碳纳米管-CN201480057892.7在审
发明人：高井广和;上岛贡 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供即使不进行开口处理也可以保持合成后的状态将内部有效地进行活用的碳纳米管。本发明的碳纳米管的特征在于，其未经开口处理、且由吸附等温线得到的t曲线显示向上凸的形状。
纳米

[发明专利]复合碳纳米管膜、其制备方法及层状发热器件-CN202080047054.7在审
发明人：刘畅;辛培培;张玲;王峰;邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：一种复合碳纳米管膜的制备方法、复合碳纳米管膜及层状发热器件。该复合碳纳米管膜的制备方法包括如下步骤：获取碳纳米管基膜(120)，碳纳米管基膜(120)中包括一层碳纳米管薄膜或多层层叠设置的碳纳米管薄膜，碳纳米管薄膜具有取向排列的第一碳纳米管；获取碳纳米管浆料，碳纳米管浆料包括溶剂和均匀分散于溶剂中的第二碳纳米管和粘结剂；在碳纳米管基膜(120)的表面涂覆碳纳米管浆料，去除碳纳米管浆料中的溶剂，以制备复合碳纳米管膜。该制备方法制备所得的复合碳纳米管膜成功实现了采用取向型的碳纳米管薄膜作为基材的复合碳纳米管膜，其导电性显著高于传统的碳纳米管薄膜。
复合纳米制备方法层状发热器件

[发明专利]场发射装置-CN201210135961.4有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射装置，其包括：一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接，该碳纳米管结构进一步包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间；两个电极分别与该碳纳米管结构电连接。
发射装置

[发明专利]碳纳米管结构及其制备方法-CN201210135962.9有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管结构，其包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间。本发明进一步提供一种上述碳纳米管结构的制备方法。
纳米结构及其制备方法

[发明专利]线圈用碳纳米管被覆线材、利用线圈用碳纳米管被覆线材的线圈以及碳纳米管被覆线材线圈的制造方法-CN201980022784.9有效
发明人：会泽英树;山下智;三好一富 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01B1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低涡电流、高输出特性优异的线圈用碳纳米管被覆线材。线圈用碳纳米管被覆线材包括：碳纳米管线材，其由多个碳纳米管集合体或者多个碳纳米管线构成，所述碳纳米管集合体由多个碳纳米管构成，所述碳纳米管线由多个碳纳米管构成；以及被覆层，其将所述碳纳米管线材被覆，所述碳纳米管集合体或者所述碳纳米管线与相邻的其他所述碳纳米管集合体或者所述碳纳米管线接触
线圈纳米被覆线材利用以及制造方法

[发明专利]一种规模制备柔性自支撑碳纳米管薄膜方法-CN202210919264.1在审
发明人：钟小华 -专利权人：武汉市碳翁科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：一种规模制备柔性自支撑碳纳米管薄膜方法，包括对碳纳米管进行预分散，以获得均匀碳纳米管混合液；然后对均匀碳纳米管混合液进行研磨分散，以获得细致碳纳米管浆料；将细致碳纳米管浆料涂覆于基底上，以获得碳纳米管基底；对碳纳米管基底进行干燥处理，以获得干燥碳纳米管基底；最后将干燥碳纳米管基底上的碳纳米管膜与基底进行分离，以获得柔性自支撑碳纳米管薄膜；本发明中将碳纳米管粉碎、浸泡、研磨、涂覆成膜，然后干燥分离，利用毛细管力作用驱使碳纳米管相互靠近，达到一定距离后碳纳米管之间范德华力作用使得碳纳米管紧紧贴在一起，形成碳纳米管薄膜；本设计不仅生产简单，而且可以大规模制备大尺寸的碳纳米管薄膜。
一种规模制备柔性支撑纳米薄膜方法

[发明专利]纳米异质结构的制备方法-CN201610502909.6有效
发明人：张金;魏洋;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种纳米异质结构的制备方法，包括：提供一支撑结构，在支撑结构上形成一第一碳纳米管层，该第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管；在所述第一碳纳米管层上形成一半导体层；覆盖一第二碳纳米管层于所述半导体层上，该第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管；在所述第一碳纳米管层中找出平行且间隔设置的一个第一金属性碳纳米管和一个半导体性碳纳米管，标识该第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管，在第二碳纳米管层中找出一个第二金属性碳纳米管，该第二金属性碳纳米管的延伸方向与所述第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管的延伸方向交叉，标识该第二金属性碳纳米管，将其余的第一碳纳米管和第二碳纳米管刻蚀去除；以及将上述结构进行退火处理。
纳米结构制备方法

[发明专利]黑体辐射源-CN201810027425.X有效
发明人：魏洋;王广;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种黑体辐射源，该黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置有一碳纳米管结构，所述碳纳米管结构包括：一第一碳纳米管层，所述第一碳纳米管层贴合设置于所述黑体辐射腔的内表面，所述第一碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，所述多个第一碳纳米管的延伸方向基本平行于所述第一碳纳米管层的表面；一第二碳纳米管层，所述第二碳纳米管层包括多个第二碳纳米管，所述多个第二碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述第一碳纳米管层的表面，且所述多个第二碳纳米管的一端与所述第一碳纳米管层接触设置；及多个第三碳纳米管，所述多个第三碳纳米管缠绕在所述第一碳纳米管和所述第二碳纳米管之间。
黑体辐射源

[发明专利]碳纳米管设备、碳纳米管制造方法及碳纳米管制造装置-CN201180037965.2有效
发明人：古池阳祐 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供搭载有相互特性不同的第1碳纳米管和第2碳纳米管的新型碳纳米管设备。碳纳米管设备具备：具有第1碳纳米管形成面（11）和第2碳纳米管形成面（12）的物体（1）、形成在第1碳纳米管形成面（11)的第1碳纳米管（101）以及形成于第2碳纳米管形成面（12）并相对于第1碳纳米管特性不同的第2碳纳米管（102）。
纳米设备制造方法装置

[发明专利]碳纳米管场发射体的制备方法-CN201210217752.4有效
发明人：柳鹏;徐丽江;周段亮;张春海;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向定向排列的碳纳米管；沿着所述多个碳纳米管轴向的方向，对所述碳纳米管薄膜进行等间距切割，将所述碳纳米管薄膜裁切成多个带状碳纳米管薄膜；处理所述多个带状碳纳米管薄膜以形成多个碳纳米管线；以及将所述多个碳纳米管线放置于一导电载体上，用激光束切断所述多个碳纳米管线，得到一碳纳米管场发射体。
纳米发射制备方法

[发明专利]碳纳米管复合结构-CN201210409491.6有效
发明人：姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管复合结构，其中，所述碳纳米管复合结构包括一第一碳纳米管结构及第二碳纳米管结构，所述第一碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向择优取向延伸并通过范德华力首尾相连，所述第二碳纳米管结构包括多个碳纳米管设置于所述第一碳纳米管结构的一表面，并且所述第二碳纳米管结构中每一碳纳米管的根部与所述第一碳纳米管结构表面相连，端部向远离所述第一碳纳米管结构的方向延伸。
纳米复合结构

[发明专利]碳纳米管纳米颗粒复合材料及其制备方法-CN200910106339.9有效
发明人：王佳平;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2009-03-21 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管纳米颗粒复合材料，其包括：一碳纳米管结构和多个纳米颗粒，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管，其中，所述纳米颗粒附着于上述碳纳米管表面上，并沿其所附着的碳纳米管间隔地排列。一种碳纳米管纳米颗粒复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管；向该碳纳米管结构中引入至少两种反应原料，于该碳纳米管结构的表面形成厚度为1～100纳米的反应原料层；以及引发反应原料进行反应，生长纳米颗粒，从而得到一碳纳米管纳米颗粒复合材料。
纳米颗粒复合材料及其制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列的表面修复方法-CN201811298971.3有效
发明人：魏洋;王广;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的表面修复方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列以及一基底，该碳纳米管阵列位于该基底的表面，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，其中至少部分碳纳米管在基底12的表面倾斜排列；放置一胶带于所述碳纳米管阵列的表面，所述碳纳米管阵列中的碳纳米管与基底的粘结力大于碳纳米管阵列中的碳纳米管与所述胶带的粘结力；以及剥离所述胶带，使所述碳纳米管阵列中在基底12的表面倾斜排列的至少部分碳纳米管在所述基底和胶带的作用力下被竖直拉起，进而使得碳纳米管中列中的碳纳米管竖直排列并基本垂直于基底的表面。
纳米阵列表面修复方法

[发明专利]碳纳米管复合膜-CN201210333728.7有效
发明人：冯辰;王昱权;潜力 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管复合膜，由一碳纳米管膜以及一聚合物材料复合而成，所述碳纳米管膜包括多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇，该多个碳纳米管线间隔设置；该多个碳纳米管团簇通过该多个碳纳米管线隔开，且位于相邻的碳纳米管线之间的多个碳纳米管团簇间隔设置，所述聚合物材料包覆于所述多个碳纳米管线以及多个碳纳米管团簇的表面。
纳米复合

[发明专利]碳纳米管薄膜及其制备方法与应用-CN201710696504.5有效
发明人：李莎;闫晓亮;邱丽;赵雪霞;牛梅;卢晶军 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明涉及环保技术领域，具体涉及一种碳纳米管薄膜及其制备方法与应用。碳纳米管薄膜的制备方法，包括提供碳纳米管并进行预处理得到表面形成有官能团的预制碳纳米管，预处理包括酸化碳纳米管，或先酸化碳纳米管后对酸化之后的碳纳米管进一步胺化处理；利用预制碳纳米管通过静电纺丝制得碳纳米管薄膜，对酸化处理获得的预制碳纳米管进行静电纺丝的纺丝电压高于先酸化后胺化处理获得的预制碳纳米管进行静电纺丝的纺丝电压。该碳纳米管薄膜的制备方法具有简单适于工业生产的优点，且制得的碳纳米管薄膜具有很好的吸附能力。碳纳米管薄膜，采用上述的碳纳米管薄膜的制备方法制备得到。碳纳米管薄膜的应用，将上述的碳纳米管薄膜应用于污水处理中。
纳米薄膜及其制备方法应用

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